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DMC3021LSDQ-13的图片

DMC3021LSDQ-13

FET - 阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A SO-8

原厂封装：8-SOIC

优势价格，DMC3021LSDQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMC3021LSDQ-13的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号: DMC3021LSDQ-13

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A SO-8

系列: -

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 8.5A，7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 21 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 16.1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 767pF @ 10V

功率 - 最大值: 2.5W

安装类型: 表面贴装

封装形式: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

Diodes器件封装: 8-SO

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