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DMG1016UDW-7的图片

DMG1016UDW-7

场效应管阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET N/P-CH 20V SOT363

原厂封装：SOT-363

优势价格，DMG1016UDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMG1016UDW-7的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号：DMG1016UDW-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N/P-CH 20V SOT363

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.07A，845mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 600mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.74nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：60.67pF @ 10V

功率 - 最大值：330mW

安装类型：表面贴装

封装形式：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

Diodes器件封装：SOT-363

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