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DMG4N65CTI
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DMG4N65CTI技术资料
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DMG4N65CTI
单端场效应管
制造厂商：
Diodes
功能简述：
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
原厂封装：
TO-220AB
优势价格，DMG4N65CTI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMG4N65CTI的技术资料下载
DMG4N65CTI的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号：DMG4N65CTI
制造厂家名称：Diodes Incorporated
描述：MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：900pF @ 25V
功率 - 最大值：8.35W
安装类型：通孔
封装形式：TO-220-3
Diodes器件封装：TO-220AB
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