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DMG6601LVT-7的图片

DMG6601LVT-7

场效应管阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

原厂封装：TSOT-26

优势价格，DMG6601LVT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMG6601LVT-7的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号：DMG6601LVT-7

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.8A，2.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 3.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：422pF @ 15V

功率 - 最大值：850mW

安装类型：表面贴装

封装形式：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

Diodes器件封装：TSOT-26

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