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DMG6602SVTQ-7
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DMG6602SVTQ-7价格
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DMG6602SVTQ-7技术资料
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DMG6602SVTQ-7
FET - 阵列
制造厂商：
Diodes
功能简述：
MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
原厂封装：
SOT-23-6
优势价格，DMG6602SVTQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMG6602SVTQ-7的技术资料下载
DMG6602SVTQ-7的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号: DMG6602SVTQ-7
制造厂家名称: Diodes Incorporated
功能总体简述: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
系列: -
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.4A，2.8A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 60 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 400pF @ 15V
功率 - 最大值: 840mW
安装类型: 表面贴装
封装形式: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Diodes器件封装: TSOT-26
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