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DMN1029UFDB-7的图片

DMN1029UFDB-7

FET - 阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

原厂封装：6-UDFN

优势价格，DMN1029UFDB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN1029UFDB-7的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号: DMN1029UFDB-7

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5.6A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 29 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 19.6nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 914pF @ 6V

功率 - 最大值: 1.4W

安装类型: 表面贴装

封装形式: 6-UDFN 裸露焊盘

Diodes器件封装: U-DFN2020-6

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