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DMN10H120SFG-7
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DMN10H120SFG-7价格
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DMN10H120SFG-7技术资料
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DMN10H120SFG-7
单端场效应管
制造厂商：
Diodes
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
原厂封装：
PowerDI3333-8
优势价格，DMN10H120SFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN10H120SFG-7的技术资料下载
DMN10H120SFG-7的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号：DMN10H120SFG-7
制造厂家名称：Diodes Incorporated
描述：MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 3.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：549pF @ 50V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装形式：8-PowerVDFN
Diodes器件封装：PowerDI3333-8
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