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DMN10H170SFDE-7
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DMN10H170SFDE-7价格
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DMN10H170SFDE-7技术资料
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DMN10H170SFDE-7
FET - 单
制造厂商：
Diodes
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
原厂封装：
6-UDFN
优势价格，DMN10H170SFDE-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN10H170SFDE-7的技术资料下载
DMN10H170SFDE-7的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号: DMN10H170SFDE-7
制造厂家名称: Diodes Incorporated
功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.9A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 160 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 9.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1167pF @ 25V
功率 - 最大值: 660mW
安装类型: 表面贴装
封装形式: 6-UDFN 裸露焊盘
Diodes器件封装: U-DFN2020-6
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