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DMN10H220LE-13的图片

DMN10H220LE-13

Diodes图标
单端场效应管
制造厂商:Diodes
功能简述:MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
原厂封装:SOT-223
优势价格,DMN10H220LE-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMN10H220LE-13的功能参数资料 - Diodes提供
  • Diodes公司标准型号:DMN10H220LE-13
  • 制造厂家名称:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.3A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):220 毫欧 @ 1.6A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.3nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):401pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装形式:TO-261-4,TO-261AA
  • Diodes器件封装:SOT-223
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