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DMN2013UFX-7
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DMN2013UFX-7价格
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DMN2013UFX-7技术资料
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DMN2013UFX-7
场效应管阵列
制造厂商:
Diodes
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
原厂封装:
原厂封装
优势价格,DMN2013UFX-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN2013UFX-7的技术资料下载
DMN2013UFX-7的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号:DMN2013UFX-7
制造厂家名称:Diodes Incorporated
描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
系列:-
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11.5 毫欧 @ 8.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):57.4nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2607pF @ 10V
功率 - 最大值:780mW
安装类型:表面贴装
封装形式:6-VFDFN 裸露焊盘
Diodes器件封装:*
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