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DMN2016UTS-13

Diodes图标
场效应管阵列
制造厂商:Diodes
功能简述:MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
原厂封装:8-TSSOP
优势价格,DMN2016UTS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMN2016UTS-13的功能参数资料 - Diodes提供
  • Diodes公司标准型号:DMN2016UTS-13
  • 制造厂家名称:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
  • 系列:-
  • FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.58A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 9.4A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1495pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:880mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装形式:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
  • Diodes器件封装:8-TSSOP
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