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DMN2016UTS-13
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DMN2016UTS-13价格
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DMN2016UTS-13技术资料
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DMN2016UTS-13
场效应管阵列
制造厂商:
Diodes
功能简述:
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
原厂封装:
8-TSSOP
优势价格,DMN2016UTS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN2016UTS-13的技术资料下载
DMN2016UTS-13的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号:DMN2016UTS-13
制造厂家名称:Diodes Incorporated
描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
系列:-
FET 类型:2 N 沟道(双)共漏
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.58A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 9.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1495pF @ 10V
功率 - 最大值:880mW
安装类型:表面贴装
封装形式:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
Diodes器件封装:8-TSSOP
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