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DMN26D0UFB4-7
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DMN26D0UFB4-7价格
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DMN26D0UFB4-7技术资料
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DMN26D0UFB4-7
单端场效应管
制造厂商:
Diodes
功能简述:
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
原厂封装:
3-DFN1006H4
优势价格,DMN26D0UFB4-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN26D0UFB4-7的技术资料下载
DMN26D0UFB4-7的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号:DMN26D0UFB4-7
制造厂家名称:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):230mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14.1pF @ 15V
功率 - 最大值:350mW
安装类型:表面贴装
封装形式:3-XFDFN
Diodes器件封装:3-DFN1006H4(1.0x0.6)
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