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DMN3026LVT-7

Diodes图标
单端场效应管
制造厂商:Diodes
功能简述:MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26
原厂封装:TSOT-26
优势价格,DMN3026LVT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMN3026LVT-7的功能参数资料 - Diodes提供
  • Diodes公司标准型号:DMN3026LVT-7
  • 制造厂家名称:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.6A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):23 毫欧 @ 6.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):643pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装形式:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • Diodes器件封装:TSOT-26
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