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DMN3033LSD-13
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DMN3033LSD-13价格
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DMN3033LSD-13技术资料
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DMN3033LSD-13
场效应管阵列
制造厂商:
Diodes
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
原厂封装:
8-SOP
优势价格,DMN3033LSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN3033LSD-13的技术资料下载
DMN3033LSD-13的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号:DMN3033LSD-13
制造厂家名称:Diodes Incorporated
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 6.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):725pF @ 15V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装形式:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Diodes器件封装:8-SOP
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