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DMN30H4D0LFDE-7的图片

DMN30H4D0LFDE-7

FET - 单

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

原厂封装：6-UDFN

优势价格，DMN30H4D0LFDE-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN30H4D0LFDE-7的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号: DMN30H4D0LFDE-7

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 300V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 550mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4 欧姆 @ 300mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 7.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 187.3pF @ 25V

功率 - 最大值: 630mW

安装类型: 表面贴装

封装形式: 6-UDFN 裸露焊盘

Diodes器件封装: U-DFN2020-6

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