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DMN3190LDW-13的图片

DMN3190LDW-13

场效应管阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

原厂封装：SOT-363

优势价格，DMN3190LDW-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN3190LDW-13的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号：DMN3190LDW-13

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 1.3A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：87pF @ 20V

功率 - 最大值：320mW

安装类型：表面贴装

封装形式：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

Diodes器件封装：SOT-363

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