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DMN53D0LDW-7
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DMN53D0LDW-7价格
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DMN53D0LDW-7技术资料
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DMN53D0LDW-7
场效应管阵列
制造厂商：
Diodes
功能简述：
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
原厂封装：
SOT-363
优势价格，DMN53D0LDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN53D0LDW-7的技术资料下载
DMN53D0LDW-7的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号：DMN53D0LDW-7
制造厂家名称：Diodes Incorporated
描述：MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
系列：-
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：50V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：360mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：46pF @ 25V
功率 - 最大值：310mW
安装类型：表面贴装
封装形式：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
Diodes器件封装：SOT-363
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