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DMN61D8L-13的图片

DMN61D8L-13

FET - 单

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

原厂封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

优势价格，DMN61D8L-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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DMN61D8L-13的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号: DMN61D8L-13

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 470mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.8 欧姆 @ 150mA，5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 0.74nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 12.9pF @ 12V

功率 - 最大值: 390mW

安装类型: 表面贴装

封装形式: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

Diodes器件封装: SOT-23

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