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DMN61D8LVT-13
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DMN61D8LVT-13价格
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DMN61D8LVT-13技术资料
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DMN61D8LVT-13
FET - 阵列
制造厂商：
Diodes
功能简述：
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
原厂封装：
SOT-23-6
优势价格，DMN61D8LVT-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN61D8LVT-13的技术资料下载
DMN61D8LVT-13的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号: DMN61D8LVT-13
制造厂家名称: Diodes Incorporated
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
系列: -
FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 630mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.8 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 0.74nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 12.9pF @ 12V
功率 - 最大值: 820mW
安装类型: 表面贴装
封装形式: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Diodes器件封装: TSOT-26
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