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DMN61D8LVTQ-7
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DMN61D8LVTQ-7价格
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DMN61D8LVTQ-7技术资料
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DMN61D8LVTQ-7
FET - 单
制造厂商:
Diodes
功能简述:
MOSFET N-CH 60V TSOT26
原厂封装:
*
优势价格,DMN61D8LVTQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMN61D8LVTQ-7的技术资料下载
DMN61D8LVTQ-7的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号: DMN61D8LVTQ-7
制造厂家名称: Diodes Incorporated
功能总体简述: MOSFET N-CH 60V TSOT26
系列: -
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 630mA
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 1.8 欧姆 @ 150mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 0.74nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 12.9pF @ 12V
功率 - 最大值: 820mW
安装类型: *
封装形式: *
Diodes器件封装: *
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