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DMN65D8LDWQ-13的图片

DMN65D8LDWQ-13

FET - 阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

原厂封装：-

优势价格，DMN65D8LDWQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

DMN65D8LDWQ-13的技术资料下载

电话询问价格

DMN65D8LDWQ-13的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号: DMN65D8LDWQ-13

制造厂家名称: Diodes Incorporated

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

系列: *

FET 类型: -

FET 功能: -

漏源极电压（Vdss）: -

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: -

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: -

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -

功率 - 最大值: -

安装类型: -

封装形式: -

Diodes器件封装: -

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