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ZVN2110GTA
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ZVN2110GTA技术资料
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ZVN2110GTA
单端场效应管
制造厂商:
Diodes
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
原厂封装:
SOT-223
优势价格,ZVN2110GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ZVN2110GTA的技术资料下载
ZVN2110GTA的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号:ZVN2110GTA
制造厂家名称:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):500mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):75pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装形式:TO-261-4,TO-261AA
Diodes器件封装:SOT-223
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