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ZXM62N03GTA的图片

ZXM62N03GTA

单端场效应管

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223

原厂封装：SOT-223

优势价格，ZXM62N03GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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ZXM62N03GTA的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号：ZXM62N03GTA

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.4A（Ta），4.7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 2.2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装形式：TO-261-4，TO-261AA

Diodes器件封装：SOT-223

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