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ZXMC3AM832TA的图片

ZXMC3AM832TA

Diodes图标
场效应管阵列
制造厂商:Diodes
功能简述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
原厂封装:8-MLP
优势价格,ZXMC3AM832TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ZXMC3AM832TA的功能参数资料 - Diodes提供
  • Diodes公司标准型号:ZXMC3AM832TA
  • 制造厂家名称:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
  • 系列:-
  • FET 类型:N 和 P 沟道
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.9A,2.1A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小)
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):190pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.7W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装形式:8-VDFN 裸露焊盘
  • Diodes器件封装:8-MLP(3x2)
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