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ZXMC3F31DN8TA
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ZXMC3F31DN8TA价格
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ZXMC3F31DN8TA技术资料
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ZXMC3F31DN8TA
场效应管阵列
制造厂商:
Diodes
功能简述:
MOSFET N/P-CH 30V 8SO
原厂封装:
8-SO
优势价格,ZXMC3F31DN8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ZXMC3F31DN8TA的技术资料下载
ZXMC3F31DN8TA的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号:ZXMC3F31DN8TA
制造厂家名称:Diodes Incorporated
描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SO
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.8A, 4.9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):24 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):608pF @ 15V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装
封装形式:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Diodes器件封装:8-SO
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