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ZXMD65P02N8TA
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ZXMD65P02N8TA价格
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ZXMD65P02N8TA技术资料
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ZXMD65P02N8TA
场效应管阵列
制造厂商：
Diodes
功能简述：
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
原厂封装：
8-SO
优势价格，ZXMD65P02N8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ZXMD65P02N8TA的技术资料下载
ZXMD65P02N8TA的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号：ZXMD65P02N8TA
制造厂家名称：Diodes Incorporated
描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
系列：-
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：960pF @ 15V
功率 - 最大值：1.75W
安装类型：表面贴装
封装形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
Diodes器件封装：8-SO
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