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ZXMN10A11K
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ZXMN10A11K技术资料
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ZXMN10A11K
单端场效应管
制造厂商：
Diodes
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
原厂封装：
TO-252-3
优势价格，ZXMN10A11K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
ZXMN10A11K的技术资料下载
ZXMN10A11K的功能参数资料 - Diodes提供
Diodes公司标准型号：ZXMN10A11K
制造厂家名称：Diodes Incorporated
描述：MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：274pF @ 50V
功率 - 最大值：2.11W
安装类型：表面贴装
封装形式：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
Diodes器件封装：TO-252-3
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