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ZXMN3AM832TA的图片

ZXMN3AM832TA

场效应管阵列

制造厂商：Diodes

功能简述：MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

原厂封装：8-MLP

优势价格，ZXMN3AM832TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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ZXMN3AM832TA的功能参数资料 - Diodes提供

Diodes公司标准型号：ZXMN3AM832TA

制造厂家名称：Diodes Incorporated

描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.9A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 2.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：190pF @ 25V

功率 - 最大值：1.13W

安装类型：表面贴装

封装形式：8-VDFN 裸露焊盘

Diodes器件封装：8-MLP（3x2）

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