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    ZXMN6A09DN8TC的图片

    ZXMN6A09DN8TC

    Diodes图标
    场效应管阵列
    制造厂商：Diodes
    功能简述：MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
    原厂封装：8-SOP
    优势价格，ZXMN6A09DN8TC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    ZXMN6A09DN8TC的技术资料下载
    电话询问价格
    ZXMN6A09DN8TC的功能参数资料 - Diodes提供
  • Diodes公司标准型号：ZXMN6A09DN8TC
  • 制造厂家名称：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
  • 系列：-
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.3A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 8.2A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24.2nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1407pF @ 40V
  • 功率 - 最大值：1.25W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装形式：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • Diodes器件封装：8-SOP
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