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Diodes推出新款100V/40沟槽式SBR整流器
编辑:Diodes代理商 [ 2017/4/26 14:12:20 ] 文章来源:Diodes官网
Diodes推出新款100V/40沟槽式SBR整流器

Diodes Incorporated 的 SBRTF40U100CT 和 SBRTF40U100CTFP 具有业内领先的低正向电压,以及最佳的高温反向漏泄电流。 实际上,这些器件可以在提高效率 2% 的同时还将工作温度降低了 10C。

 

创新型器件架构和先进的沟槽式工艺组合,实现了超低的正向压降(IF = 2 A 和 TA = 85C 时 VF_TYP = 0.27 V)、低反向漏泄电流(VR = 100 V 时 IR_MAX = 0.5 mA),大反向重复峰值电压 (VRRM = 100 V),以及高正向浪涌电流能力(高达 200 A)和最大平均整流输出电流。 这些出色的特性大大降低了传导损耗,同时提高了能效,尤其是在高工作温度下。 此外,这些器件雪崩额定值达同类领先的 340 mJ。

 

这些器件旨在作为整流器、续流二极管、阻流二极管、极性保护二极管以及开关二极管使用,其目标应用领域包括开关模式电源、DC-DC 转换器、USB Type-C 和电力输送兼容适配器以及便携式设备的快速充电器。

 

SBRTF40U100CT 和 SBRTF40U100CTFP 封装在高导热率的 TO220AB 和 ITO 220AB 封装中,符合全绿色和 RoHS 规范要求,它们不只是天生的绿色器件,而且还能实现高绿色标准的系统。

 

特性

超低正向电压

凭借超低正向电压(IF = 2 A、TA = 85C 时 VF_TYP = 0.27 V),这两款器件降低了传导损耗。 此外,它们有一个独特的属性,就是更高的环境和工作温度,更低的正向电压。

低反向漏泄电流

这两款器件均具有低反向漏泄电流(VR = 100 V 时 IR_MAX = 0.5 mA),提升了正常和极高温度条件下的能效

出色的传热特性

高热效 TO220AB 和 ITO 220AB 封装能使这些设备在易失性环境中可靠地工作

高正向浪涌电流和雪崩稳固性

SBRTF40U100CT 和 SBRTF40U100CTFP 具有高平均整流输出电流(每个器件 IO = 40 A)和高正向浪涌电流能力 (IFSM = 200A)。 配合业内领先的雪崩额定值 (EAS = 340 mJ),获得了出色产品的可靠性和坚固性

应用  

AC-DC 适配器

DC-DC 转换器

开关模式电源

 

USB Type-C/PD

快速充电器

 

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